amphenol代理商
專業(yè)銷售Amphenol(安費(fèi)諾)全系列產(chǎn)品-英國(guó)2號(hào)倉(cāng)庫(kù)
美國(guó)1號(hào)分類選型新加坡2號(hào)分類選型英國(guó)10號(hào)分類選型英國(guó)2號(hào)分類選型日本5號(hào)分類選型

在本站結(jié)果里搜索:    
熱門搜索詞:  Connectors  8910DPA43V02  Amphenol  UVZSeries 160VDC  70084122  IM21-14-CDTRI

IRFD9110PBF - 

MOSFET, Power; P-Ch; VDSS -100V; RDS(ON) 1.2 Ohms; ID -0.7A; HD-1; PD 1.3W; VGS +/-20V

Vishay PCS IRFD9110PBF
聲明:圖片僅供參考,請(qǐng)以實(shí)物為準(zhǔn)!
制造商產(chǎn)品編號(hào):
IRFD9110PBF
倉(cāng)庫(kù)庫(kù)存編號(hào):
70078899
技術(shù)數(shù)據(jù)表:
View IRFD9110PBF Datasheet Datasheet
訂購(gòu)熱線: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于產(chǎn)品數(shù)據(jù)庫(kù)龐大,部分產(chǎn)品信息可能未能及時(shí)更新,下單前請(qǐng)與銷售人員確認(rèn)好實(shí)時(shí)在庫(kù)數(shù)量,謝謝合作!

IRFD9110PBF產(chǎn)品信息

  Brand/Series  IRF Series  
  Capacitance, Input  200 pF @ -25 V  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  P  
  Configuration  Single  
  Current, Drain  -0.49 A  
  Dimensions  6.29 x 5 x 3.37 mm  
  Gate Charge, Total  8.7 nC  
  Height  0.133" (3.37mm)  
  Length  0.247" (6.29mm)  
  Mounting Type  Through Hole  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  4  
  Package Type  HVMDIP  
  Polarization  P-Channel  
  Power Dissipation  1.3 W  
  Resistance, Drain to Source On  1.2 Ω  
  Temperature, Operating, Maximum  +175 °C  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Temperature, Operating, Range  -55 to +175 °C  
  Time, Turn-Off Delay  15 ns  
  Time, Turn-On Delay  10 ns  
  Transconductance, Forward  0.6 S  
  Typical Gate Charge @ Vgs  Maximum of 8.7 nC @ -10 V  
  Voltage, Breakdown, Drain to Source  -100 V  
  Voltage, Drain to Source  -100 V  
  Voltage, Forward, Diode  -5.5 V  
  Voltage, Gate to Source  ±20 V  
  Width  0.197" (5mm)  
關(guān)鍵詞         

IRFD9110PBF相關(guān)搜索

Brand/Series IRF Series  Vishay PCS Brand/Series IRF Series  MOSFET Transistors Brand/Series IRF Series  Vishay PCS MOSFET Transistors Brand/Series IRF Series   Capacitance, Input 200 pF @ -25 V  Vishay PCS Capacitance, Input 200 pF @ -25 V  MOSFET Transistors Capacitance, Input 200 pF @ -25 V  Vishay PCS MOSFET Transistors Capacitance, Input 200 pF @ -25 V   Channel Mode Enhancement  Vishay PCS Channel Mode Enhancement  MOSFET Transistors Channel Mode Enhancement  Vishay PCS MOSFET Transistors Channel Mode Enhancement   Channel Type P  Vishay PCS Channel Type P  MOSFET Transistors Channel Type P  Vishay PCS MOSFET Transistors Channel Type P   Configuration Single  Vishay PCS Configuration Single  MOSFET Transistors Configuration Single  Vishay PCS MOSFET Transistors Configuration Single   Current, Drain -0.49 A  Vishay PCS Current, Drain -0.49 A  MOSFET Transistors Current, Drain -0.49 A  Vishay PCS MOSFET Transistors Current, Drain -0.49 A   Dimensions 6.29 x 5 x 3.37 mm  Vishay PCS Dimensions 6.29 x 5 x 3.37 mm  MOSFET Transistors Dimensions 6.29 x 5 x 3.37 mm  Vishay PCS MOSFET Transistors Dimensions 6.29 x 5 x 3.37 mm   Gate Charge, Total 8.7 nC  Vishay PCS Gate Charge, Total 8.7 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 8.7 nC  Vishay PCS MOSFET Transistors Gate Charge, Total 8.7 nC   Height 0.133" (3.37mm)  Vishay PCS Height 0.133" (3.37mm)  MOSFET Transistors Height 0.133" (3.37mm)  Vishay PCS MOSFET Transistors Height 0.133" (3.37mm)   Length 0.247" (6.29mm)  Vishay PCS Length 0.247" (6.29mm)  MOSFET Transistors Length 0.247" (6.29mm)  Vishay PCS MOSFET Transistors Length 0.247" (6.29mm)   Mounting Type Through Hole  Vishay PCS Mounting Type Through Hole  MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole  Vishay PCS MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole   Number of Elements per Chip 1  Vishay PCS Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  Vishay PCS MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 4  Vishay PCS Number of Pins 4  MOSFET Transistors Number of Pins 4  Vishay PCS MOSFET Transistors Number of Pins 4   Package Type HVMDIP  Vishay PCS Package Type HVMDIP  MOSFET Transistors Package Type HVMDIP  Vishay PCS MOSFET Transistors Package Type HVMDIP   Polarization P-Channel  Vishay PCS Polarization P-Channel  MOSFET Transistors Polarization P-Channel  Vishay PCS MOSFET Transistors Polarization P-Channel   Power Dissipation 1.3 W  Vishay PCS Power Dissipation 1.3 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 1.3 W  Vishay PCS MOSFET Transistors Power Dissipation 1.3 W   Resistance, Drain to Source On 1.2 Ω  Vishay PCS Resistance, Drain to Source On 1.2 Ω  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 1.2 Ω  Vishay PCS MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 1.2 Ω   Temperature, Operating, Maximum +175 °C  Vishay PCS Temperature, Operating, Maximum +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C  Vishay PCS MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  Vishay PCS Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  Vishay PCS MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  Vishay PCS Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  Vishay PCS MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C   Time, Turn-Off Delay 15 ns  Vishay PCS Time, Turn-Off Delay 15 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 15 ns  Vishay PCS MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 15 ns   Time, Turn-On Delay 10 ns  Vishay PCS Time, Turn-On Delay 10 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 10 ns  Vishay PCS MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 10 ns   Transconductance, Forward 0.6 S  Vishay PCS Transconductance, Forward 0.6 S  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 0.6 S  Vishay PCS MOSFET Transistors Transconductance, Forward 0.6 S   Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 8.7 nC @ -10 V  Vishay PCS Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 8.7 nC @ -10 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 8.7 nC @ -10 V  Vishay PCS MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 8.7 nC @ -10 V   Voltage, Breakdown, Drain to Source -100 V  Vishay PCS Voltage, Breakdown, Drain to Source -100 V  MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source -100 V  Vishay PCS MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source -100 V   Voltage, Drain to Source -100 V  Vishay PCS Voltage, Drain to Source -100 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source -100 V  Vishay PCS MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source -100 V   Voltage, Forward, Diode -5.5 V  Vishay PCS Voltage, Forward, Diode -5.5 V  MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode -5.5 V  Vishay PCS MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode -5.5 V   Voltage, Gate to Source ±20 V  Vishay PCS Voltage, Gate to Source ±20 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V  Vishay PCS MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V   Width 0.197" (5mm)  Vishay PCS Width 0.197" (5mm)  MOSFET Transistors Width 0.197" (5mm)  Vishay PCS MOSFET Transistors Width 0.197" (5mm)  
電話:400-900-3095
QQ:800152669
關(guān)于我們 | Amphenol簡(jiǎn)介 | Amphenol產(chǎn)品 | Amphenol產(chǎn)品應(yīng)用 | Amphenol動(dòng)態(tài) | 按系列選型 | 按產(chǎn)品規(guī)格選型 | Amphenol選型手冊(cè) | 付款方式 | 聯(lián)系我們
Copyright © 2017 habitrun.com All Rights Reserved. 技術(shù)支持:電子元器件 ICP備案證書號(hào):粵ICP備11103613號(hào)