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SI7846DP-T1-E3/BKN - 

MOSFET; 150V N-Channel 50MOHM@QOV PWM Optimized

Siliconix / Vishay SI7846DP-T1-E3/BKN
聲明:圖片僅供參考,請(qǐng)以實(shí)物為準(zhǔn)!
制造商產(chǎn)品編號(hào):
SI7846DP-T1-E3/BKN
倉(cāng)庫(kù)庫(kù)存編號(hào):
70026377
技術(shù)數(shù)據(jù)表:
View SI7846DP-T1-E3/BKN Datasheet Datasheet
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SI7846DP-T1-E3/BKN產(chǎn)品信息

  Brand/Series  SI78 Series  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  N  
  Configuration  Quad Drain, Triple Source  
  Current, Drain  24.5 A  
  Dimensions  5.99 x 5 x 1.07 mm  
  Height  0.042" (1.07mm)  
  Length  0.235" (5.99mm)  
  Mounting Type  Surface Mount  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  8  
  Package Type  PowerPAK-SO-8  
  Power Dissipation  1.9 W  
  Resistance, Drain to Source On  0.05 Ω  
  Temperature, Operating, Maximum  +150 °C  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Temperature, Operating, Range  -55 to +150 °C  
  Time, Turn-Off Delay  22 ns  
  Time, Turn-On Delay  12 ns  
  Transconductance, Forward  18 S  
  Typical Gate Charge @ Vgs  30 nC @ 10 V  
  Voltage, Drain to Source  150 V  
  Voltage, Forward, Diode  1.1 V  
  Voltage, Gate to Source  ±20 V  
  Width  0.197" (5mm)  
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電話:400-900-3095
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