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SI7620DN-T1-GE3 - 

N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET

Siliconix / Vishay SI7620DN-T1-GE3
聲明：圖片僅供參考，請(qǐng)以實(shí)物為準(zhǔn)！
制造商產(chǎn)品編號(hào)：
SI7620DN-T1-GE3
倉(cāng)庫(kù)庫(kù)存編號(hào)：
70026279
技術(shù)數(shù)據(jù)表：
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SI7620DN-T1-GE3產(chǎn)品概述

Features:
  • Halogen-Free Option Available
  • Low-Side Switching
  • Low On-Resistance: 5 Ω
  • Low Threshold: 0.9 V (Typ.)
  • Fast Switching Speed: 35 ns (Typ.)
  • TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5 V Rated
  • ESD Protected: 2000 V

    Applications:
  • Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories
  • Battery Operated Systems
  • Power Supply Converter Circuits
  • Load/Power Switching Cell Phones, Pagers

    • SI7620DN-T1-GE3產(chǎn)品信息

      Brand/Series  SI76 Series  
      Capacitance, Input  600 pF @ 75 V  
      Channel Mode  Enhancement  
      Channel Type  N  
      Configuration  Quad Drain, Triple Source  
      Current, Drain  13 A  
      Dimensions  3.15 x 3.15 x 1.07 mm  
      Height  0.042" (1.07mm)  
      Length  0.124" (3.15mm)  
      Mounting Type  Surface Mount  
      Number of Elements per Chip  1  
      Number of Pins  8  
      Package Type  PowerPAK 1212-8  
      Power Dissipation  33 W  
      Resistance, Drain to Source On  0.126 Ω  
      Temperature, Operating, Maximum  +150 °C  
      Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
      Temperature, Operating, Range  -55 to +150 °C  
      Time, Turn-Off Delay  15 ns  
      Time, Turn-On Delay  12 ns  
      Transconductance, Forward  10 S  
      Typical Gate Charge @ Vgs  9.5 nC @ 10 V  
      Voltage, Drain to Source  150 V  
      Voltage, Forward, Diode  1.2 V  
      Voltage, Gate to Source  ±20 V  
      Width  0.124" (3.15mm)  
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Vishay Current, Drain 13 A  MOSFET Transistors Current, Drain 13 A  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Current, Drain 13 A   Dimensions 3.15 x 3.15 x 1.07 mm  Siliconix / Vishay Dimensions 3.15 x 3.15 x 1.07 mm  MOSFET Transistors Dimensions 3.15 x 3.15 x 1.07 mm  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Dimensions 3.15 x 3.15 x 1.07 mm   Height 0.042" (1.07mm)  Siliconix / Vishay Height 0.042" (1.07mm)  MOSFET Transistors Height 0.042" (1.07mm)  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Height 0.042" (1.07mm)   Length 0.124" (3.15mm)  Siliconix / Vishay Length 0.124" (3.15mm)  MOSFET Transistors Length 0.124" (3.15mm)  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Length 0.124" (3.15mm)   Mounting Type Surface Mount  Siliconix / Vishay Mounting Type Surface Mount  MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount   Number of Elements per Chip 1  Siliconix / Vishay Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 8  Siliconix / Vishay Number of Pins 8  MOSFET Transistors Number of Pins 8  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Number of Pins 8   Package Type PowerPAK 1212-8  Siliconix / Vishay Package Type PowerPAK 1212-8  MOSFET Transistors Package Type PowerPAK 1212-8  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Package Type PowerPAK 1212-8   Power Dissipation 33 W  Siliconix / Vishay Power Dissipation 33 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 33 W  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Power Dissipation 33 W   Resistance, Drain to Source On 0.126 Ω  Siliconix / Vishay Resistance, Drain to Source On 0.126 Ω  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.126 Ω  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.126 Ω   Temperature, Operating, Maximum +150 °C  Siliconix / Vishay Temperature, Operating, Maximum +150 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +150 °C  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +150 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  Siliconix / Vishay Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  Siliconix / Vishay Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C   Time, Turn-Off Delay 15 ns  Siliconix / Vishay Time, Turn-Off Delay 15 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 15 ns  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 15 ns   Time, Turn-On Delay 12 ns  Siliconix / Vishay Time, Turn-On Delay 12 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 12 ns  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 12 ns   Transconductance, Forward 10 S  Siliconix / 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Source ±20 V   Width 0.124" (3.15mm)  Siliconix / Vishay Width 0.124" (3.15mm)  MOSFET Transistors Width 0.124" (3.15mm)  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Width 0.124" (3.15mm)  
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    型号 制造商 描述 操作
    SI7620DN-T1-GE3
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    MOSFET 150V 13A 5.2W 126mohm @ 10V

    RoHS: Compliant

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    SI7620DN-T1-GE3
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    N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET

    RoHS: Compliant

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    SI7620DN-T1-GE3
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    13 A, 150 V, 0.126 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

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    SI7620DN-T1-GE3|Vishay SiliconixSI7620DN-T1-GE3
    Vishay Siliconix    		MOSFET N-CH 150V 13A 1212-8
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    VISHAY    		N-Channel 150 V 126 Ohm 5.2 W Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK-1212-8
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    VISHAY    		N-Channel 150 V 126 Ohm 5.2 W Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK-1212-8
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    SI7620DN-T1-GE3|Vishay SiliconixSI7620DN-T1-GE3
    Vishay Siliconix    		MOSFET N-CH 150V 13A 1212-8
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    Vishay Siliconix - SI7620DN-T1-GE3 - MOSFET N-CH 150V 13A 1212-8    		Vishay Siliconix
    MOSFET N-CH 150V 13A 1212-8
    详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 13A（Tc） 3.8W（Ta），5.2W（Tc） PowerPAK? 1212-8

    型号：SI7620DN-T1-GE3
    仓库库存编号：SI7620DN-T1-GE3CT-ND
    别名：SI7620DN-T1-GE3CT
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