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SI4816BDY-T1-E3/BKN - 

DUAL N-CH 30-V (D-S) MOSFET W/SCHOT

Siliconix / Vishay SI4816BDY-T1-E3/BKN
聲明:圖片僅供參考,請(qǐng)以實(shí)物為準(zhǔn)!
制造商產(chǎn)品編號(hào):
SI4816BDY-T1-E3/BKN
倉(cāng)庫(kù)庫(kù)存編號(hào):
70026361
技術(shù)數(shù)據(jù)表:
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SI4816BDY-T1-E3/BKN產(chǎn)品信息

  Brand/Series  SI48 Series  
  Current, Drain  5.8/8.2 A  
  Gate Charge, Total  7.8/11.6 nC  
  Package Type  SO-8  
  Polarization  N-Channel  
  Power Dissipation  1/1.25 W  
  Resistance, Drain to Source On  0.0185/0.0115 Ohms  
  Temperature, Operating  -55 to 150 °C  
  Thermal Resistance, Junction to Ambient  100/82 °C/W  
  Time, Turn-Off Delay  24/31 ns  
  Time, Turn-On Delay  11/13 ns  
  Transconductance, Forward  30/31 S  
  Type  Dual Power  
  Voltage, Breakdown, Drain to Source  30 V  
  Voltage, Forward, Diode  1.1/0.5 V  
  Voltage, Gate to Source  20 V  
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