amphenol代理商
專業(yè)銷售Amphenol(安費諾)全系列產(chǎn)品-英國2號倉庫
美國1號分類選型新加坡2號分類選型英國10號分類選型英國2號分類選型日本5號分類選型

在本站結果里搜索:    
熱門搜索詞:  Connectors  8910DPA43V02  Amphenol  UVZSeries 160VDC  70084122  IM21-14-CDTRI

SI2303BDS-T1-E3 - 

MOSFET; P-Ch; VDSS -30V; RDS(ON) 0.15Ohm; ID -1.49A; TO-236 (SOT-23); PD 0.7W; VGS +/-2

Siliconix / Vishay SI2303BDS-T1-E3
聲明:圖片僅供參考,請以實物為準!
制造商產(chǎn)品編號:
SI2303BDS-T1-E3
倉庫庫存編號:
70026096
技術數(shù)據(jù)表:
View SI2303BDS-T1-E3 Datasheet Datasheet
訂購熱線: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于產(chǎn)品數(shù)據(jù)庫龐大,部分產(chǎn)品信息可能未能及時更新,下單前請與銷售人員確認好實時在庫數(shù)量,謝謝合作!

SI2303BDS-T1-E3產(chǎn)品信息

  Brand/Series  SI23 Series  
  Capacitance, Input  180 pF @ -15 V  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  P  
  Configuration  Single  
  Current, Drain  -1.2 A  
  Dimensions  3.04 x 1.4 x 1.02 mm  
  Gate Charge, Total  4.3 nC  
  Height  0.04" (1.02mm)  
  Length  0.119" (3.04mm)  
  Mounting Type  Surface Mount  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  3  
  Package Type  TO-236  
  Polarization  P-Channel  
  Power Dissipation  0.7 W  
  Resistance, Drain to Source On  0.38 Ω  
  Temperature, Operating, Maximum  +150 °C  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Temperature, Operating, Range  -55 to +150 °C  
  Time, Turn-Off Delay  10 ns  
  Time, Turn-On Delay  55 ns  
  Transconductance, Forward  2 S  
  Typical Gate Charge @ Vgs  4.3 nC @ -15 V  
  Voltage, Breakdown, Drain to Source  -30 V  
  Voltage, Drain to Source  -30 V  
  Voltage, Forward, Diode  -0.85 V  
  Voltage, Gate to Source  ±20 V  
  Width  0.055" (1.4mm)  
關鍵詞         

SI2303BDS-T1-E3相關搜索

Brand/Series SI23 Series  Siliconix / Vishay Brand/Series SI23 Series  MOSFET Transistors Brand/Series SI23 Series  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Brand/Series SI23 Series   Capacitance, Input 180 pF @ -15 V  Siliconix / Vishay Capacitance, Input 180 pF @ -15 V  MOSFET Transistors Capacitance, Input 180 pF @ -15 V  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Capacitance, Input 180 pF @ -15 V   Channel Mode Enhancement  Siliconix / Vishay Channel Mode Enhancement  MOSFET Transistors Channel Mode Enhancement  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Channel Mode Enhancement   Channel Type P  Siliconix / Vishay Channel Type P  MOSFET Transistors Channel Type P  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Channel Type P   Configuration Single  Siliconix / Vishay Configuration Single  MOSFET Transistors Configuration Single  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Configuration Single   Current, Drain -1.2 A  Siliconix / Vishay Current, Drain -1.2 A  MOSFET Transistors Current, Drain -1.2 A  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Current, Drain -1.2 A   Dimensions 3.04 x 1.4 x 1.02 mm  Siliconix / Vishay Dimensions 3.04 x 1.4 x 1.02 mm  MOSFET Transistors Dimensions 3.04 x 1.4 x 1.02 mm  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Dimensions 3.04 x 1.4 x 1.02 mm   Gate Charge, Total 4.3 nC  Siliconix / Vishay Gate Charge, Total 4.3 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 4.3 nC  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Gate Charge, Total 4.3 nC   Height 0.04" (1.02mm)  Siliconix / Vishay Height 0.04" (1.02mm)  MOSFET Transistors Height 0.04" (1.02mm)  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Height 0.04" (1.02mm)   Length 0.119" (3.04mm)  Siliconix / Vishay Length 0.119" (3.04mm)  MOSFET Transistors Length 0.119" (3.04mm)  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Length 0.119" (3.04mm)   Mounting Type Surface Mount  Siliconix / Vishay Mounting Type Surface Mount  MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount   Number of Elements per Chip 1  Siliconix / Vishay Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  Siliconix / Vishay Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type TO-236  Siliconix / Vishay Package Type TO-236  MOSFET Transistors Package Type TO-236  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Package Type TO-236   Polarization P-Channel  Siliconix / Vishay Polarization P-Channel  MOSFET Transistors Polarization P-Channel  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Polarization P-Channel   Power Dissipation 0.7 W  Siliconix / Vishay Power Dissipation 0.7 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 0.7 W  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Power Dissipation 0.7 W   Resistance, Drain to Source On 0.38 Ω  Siliconix / Vishay Resistance, Drain to Source On 0.38 Ω  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.38 Ω  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.38 Ω   Temperature, Operating, Maximum +150 °C  Siliconix / Vishay Temperature, Operating, Maximum +150 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +150 °C  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +150 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  Siliconix / Vishay Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  Siliconix / Vishay Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C   Time, Turn-Off Delay 10 ns  Siliconix / Vishay Time, Turn-Off Delay 10 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 10 ns  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 10 ns   Time, Turn-On Delay 55 ns  Siliconix / Vishay Time, Turn-On Delay 55 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 55 ns  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 55 ns   Transconductance, Forward 2 S  Siliconix / Vishay Transconductance, Forward 2 S  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 2 S  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Transconductance, Forward 2 S   Typical Gate Charge @ Vgs 4.3 nC @ -15 V  Siliconix / Vishay Typical Gate Charge @ Vgs 4.3 nC @ -15 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 4.3 nC @ -15 V  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 4.3 nC @ -15 V   Voltage, Breakdown, Drain to Source -30 V  Siliconix / Vishay Voltage, Breakdown, Drain to Source -30 V  MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source -30 V  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source -30 V   Voltage, Drain to Source -30 V  Siliconix / Vishay Voltage, Drain to Source -30 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source -30 V  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source -30 V   Voltage, Forward, Diode -0.85 V  Siliconix / Vishay Voltage, Forward, Diode -0.85 V  MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode -0.85 V  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode -0.85 V   Voltage, Gate to Source ±20 V  Siliconix / Vishay Voltage, Gate to Source ±20 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V   Width 0.055" (1.4mm)  Siliconix / Vishay Width 0.055" (1.4mm)  MOSFET Transistors Width 0.055" (1.4mm)  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Width 0.055" (1.4mm)  
電話:400-900-3095
QQ:800152669
關于我們 | Amphenol簡介 | Amphenol產(chǎn)品 | Amphenol產(chǎn)品應用 | Amphenol動態(tài) | 按系列選型 | 按產(chǎn)品規(guī)格選型 | Amphenol選型手冊 | 付款方式 | 聯(lián)系我們
Copyright © 2017 habitrun.com All Rights Reserved. 技術支持:電子元器件 ICP備案證書號:粵ICP備11103613號