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SI1958DH-T1-E3 - 

DUAL N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET

Siliconix / Vishay SI1958DH-T1-E3
聲明:圖片僅供參考,請以實物為準!
制造商產品編號:
SI1958DH-T1-E3
倉庫庫存編號:
70026192
技術數據表:
View SI1958DH-T1-E3 Datasheet Datasheet
訂購熱線: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于產品數據庫龐大,部分產品信息可能未能及時更新,下單前請與銷售人員確認好實時在庫數量,謝謝合作!

SI1958DH-T1-E3產品概述

Features:
  • Halogen-Free Option Available
  • Low-Side Switching
  • Low On-Resistance: 5 Ω
  • Low Threshold: 0.9 V (Typ.)
  • Fast Switching Speed: 35 ns (Typ.)
  • TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5 V Rated
  • ESD Protected: 2000 V

    Applications:
  • Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories
  • Battery Operated Systems
  • Power Supply Converter Circuits
  • Load/Power Switching Cell Phones, Pagers
  • SI1958DH-T1-E3產品信息

      Brand/Series  SI19 Series  
      Capacitance, Input  105 pF @ 10 V  
      Channel Mode  Enhancement  
      Channel Type  N  
      Configuration  Single  
      Current, Drain  1.3 A  
      Mounting Type  Surface Mount  
      Number of Elements per Chip  2  
      Number of Pins  6  
      Package Type  SOT-363  
      Power Dissipation  1.25 W  
      Resistance, Drain to Source On  0.34 Ω  
      Temperature, Operating, Maximum  +150 °C  
      Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
      Temperature, Operating, Range  -55 to +150 °C  
      Time, Turn-Off Delay  10 ns  
      Time, Turn-On Delay  8 ns  
      Transconductance, Forward  5.5 S  
      Typical Gate Charge @ Vgs  2.5 nC @ 10 V  
      Voltage, Drain to Source  20 V  
      Voltage, Forward, Diode  1.2 V  
      Voltage, Gate to Source  ±12 V  
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    SI1958DH-T1-E3相關搜索

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