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產(chǎn)品分類：Semiconductors,規(guī)格：Typical Gate Charge @ Vgs 60 nC @ 10 V,

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Fuji Semiconductor
IC, MOSFET; N-Channel, FAP-E3 Planar; 900V; 11A; 285W; TO-3P(Q)
產(chǎn)品分類：Semiconductors,規(guī)格：Typical Gate Charge @ Vgs 60 nC @ 10 V,
型號(hào)：FMH11N90E
倉(cāng)庫(kù)庫(kù)存編號(hào)：70241511
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International Rectifier
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 200V; RDS(ON) 0.054Ohm; ID 43A; TO-220AB; PD 300W; VGS +/-30V
產(chǎn)品分類：Semiconductors,規(guī)格：Typical Gate Charge @ Vgs 60 nC @ 10 V,
型號(hào)：IRFB38N20DPBF
倉(cāng)庫(kù)庫(kù)存編號(hào)：70017523
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Fuji Semiconductor
IC, MOSFET; N-Channel, FAP-E3 Planar; 900V; 11A; 120W; TO-220F(SLS)
產(chǎn)品分類：Semiconductors,規(guī)格：Typical Gate Charge @ Vgs 60 nC @ 10 V,
型號(hào)：FMV11N90E
倉(cāng)庫(kù)庫(kù)存編號(hào)：70241497
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Fuji Semiconductor
IC, MOSFET; N-Channel, FAP-E3 Planar; 900V; 11A; 285W; TO-3P(Q)
產(chǎn)品分類：Semiconductors,規(guī)格：Typical Gate Charge @ Vgs 60 nC @ 10 V,
型號(hào)：FMH11N90E
倉(cāng)庫(kù)庫(kù)存編號(hào)：70241511
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