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IRLZ44NSPBF - 

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 55V; RDS(ON) 0.022Ohm; ID 47A; D2Pak; PD 110W; VGS +/-16V; -55

International Rectifier IRLZ44NSPBF
聲明：圖片僅供參考，請(qǐng)以實(shí)物為準(zhǔn)！
制造商產(chǎn)品編號(hào)：
IRLZ44NSPBF
倉(cāng)庫(kù)庫(kù)存編號(hào)：
70017122
技術(shù)數(shù)據(jù)表：
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IRLZ44NSPBF產(chǎn)品概述

N-Channel Power MOSFET 40A to 49A, Infineon
The Infineon range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

IRLZ44NSPBF產(chǎn)品信息

  Brand/Series  HEXFET Series  
  Capacitance, Input  1700 pF @ 25 V  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  N  
  Current, Drain  47 A  
  Dimensions  10.67 x 9.65 x 4.83 mm  
  Gate Charge, Total  48 nC  
  Height  0.19" (4.83mm)  
  Length  0.42" (10.67mm)  
  Mounting Type  Surface Mount  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  3  
  Package Type  D2PAK  
  Polarization  N-Channel  
  Power Dissipation  110 W  
  Resistance, Drain to Source On  0.035 Ω  
  Temperature, Operating, Maximum  +175 °C  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Temperature, Operating, Range  -55 to +175 °C  
  Time, Turn-Off Delay  26 ns  
  Time, Turn-On Delay  11 ns  
  Transconductance, Forward  21 sec  
  Typical Gate Charge @ Vgs  Maximum of 48 nC @ 5 V  
  Voltage, Breakdown, Drain to Source  55 V  
  Voltage, Drain to Source  55 V  
  Voltage, Forward, Diode  1.3 V  
  Voltage, Gate to Source  ±16 V  
  Width  0.38" (9.65mm)  
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Rectifier Dimensions 10.67 x 9.65 x 4.83 mm  MOSFET Transistors Dimensions 10.67 x 9.65 x 4.83 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 10.67 x 9.65 x 4.83 mm   Gate Charge, Total 48 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 48 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 48 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 48 nC   Height 0.19" (4.83mm)  International Rectifier Height 0.19" (4.83mm)  MOSFET Transistors Height 0.19" (4.83mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.19" (4.83mm)   Length 0.42" (10.67mm)  International Rectifier Length 0.42" (10.67mm)  MOSFET Transistors Length 0.42" (10.67mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.42" (10.67mm)   Mounting Type Surface Mount  International Rectifier Mounting Type Surface Mount  MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type D2PAK  International Rectifier Package Type D2PAK  MOSFET Transistors Package Type D2PAK  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type D2PAK   Polarization N-Channel  International Rectifier Polarization N-Channel  MOSFET Transistors Polarization N-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarization N-Channel   Power Dissipation 110 W  International Rectifier Power Dissipation 110 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 110 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 110 W   Resistance, Drain to Source On 0.035 Ω  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 0.035 Ω  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source 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