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IRLU120NPBF - 

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDS(ON) 0.185Ohm; ID 10A; I-Pak (TO-251AA); PD 48W

International Rectifier IRLU120NPBF
聲明：圖片僅供參考，請(qǐng)以實(shí)物為準(zhǔn)！
制造商產(chǎn)品編號(hào)：
IRLU120NPBF
倉庫庫存編號(hào)：
70017413
技術(shù)數(shù)據(jù)表：
View IRLU120NPBF Datasheet Datasheet
訂購熱線： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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IRLU120NPBF產(chǎn)品概述

N-Channel Power MOSFET 8A to 12A, Infineon
The Infineon range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

IRLU120NPBF產(chǎn)品信息

  Brand/Series  HEXFET Series  
  Capacitance, Input  440 pF @ 25 V  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  N  
  Configuration  Dual Drain  
  Current, Drain  10 A  
  Dimensions  6.73 x 2.39 x 6.22 mm  
  Gate Charge, Total  20 nC  
  Height  0.245" (6.22mm)  
  Length  0.264" (6.73mm)  
  Mounting Type  Through Hole  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  3  
  Package Type  I-PAK  
  Polarization  N-Channel  
  Power Dissipation  48 W  
  Resistance, Drain to Source On  0.265 Ω  
  Temperature, Operating, Maximum  +175 °C  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Temperature, Operating, Range  -55 to +175 °C  
  Time, Turn-Off Delay  23 ns  
  Time, Turn-On Delay  4 ns  
  Transconductance, Forward  3.1 sec  
  Typical Gate Charge @ Vgs  Maximum of 20 nC @ 5 V  
  Voltage, Breakdown, Drain to Source  100 V  
  Voltage, Drain to Source  100 V  
  Voltage, Forward, Diode  1.3 V  
  Voltage, Gate to Source  ±16 V  
  Width  0.094" (2.39mm)  
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Rectifier Current, Drain 10 A  MOSFET Transistors Current, Drain 10 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 10 A   Dimensions 6.73 x 2.39 x 6.22 mm  International Rectifier Dimensions 6.73 x 2.39 x 6.22 mm  MOSFET Transistors Dimensions 6.73 x 2.39 x 6.22 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 6.73 x 2.39 x 6.22 mm   Gate Charge, Total 20 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 20 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 20 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 20 nC   Height 0.245" (6.22mm)  International Rectifier Height 0.245" (6.22mm)  MOSFET Transistors Height 0.245" (6.22mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.245" (6.22mm)   Length 0.264" (6.73mm)  International Rectifier Length 0.264" (6.73mm)  MOSFET Transistors Length 0.264" (6.73mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.264" (6.73mm)   Mounting Type Through Hole  International Rectifier Mounting Type Through Hole  MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type I-PAK  International Rectifier Package Type I-PAK  MOSFET Transistors Package Type I-PAK  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type I-PAK   Polarization N-Channel  International Rectifier Polarization N-Channel  MOSFET Transistors Polarization N-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarization N-Channel   Power Dissipation 48 W  International Rectifier Power Dissipation 48 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 48 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 48 W   Resistance, Drain to Source On 0.265 Ω  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 0.265 Ω  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.265 Ω  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.265 Ω   Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C   Time, Turn-Off Delay 23 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 23 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 23 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 23 ns   Time, Turn-On Delay 4 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 4 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 4 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 4 ns   Transconductance, Forward 3.1 sec  International Rectifier Transconductance, Forward 3.1 sec  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 3.1 sec  International Rectifier MOSFET Transistors Transconductance, Forward 3.1 sec   Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 20 nC @ 5 V  International Rectifier Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 20 nC @ 5 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 20 nC @ 5 V  International Rectifier MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 20 nC @ 5 V   Voltage, Breakdown, Drain to Source 100 V  International Rectifier Voltage, Breakdown, Drain to Source 100 V  MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 100 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 100 V   Voltage, Drain to Source 100 V  International Rectifier Voltage, Drain to Source 100 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 100 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 100 V   Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier Voltage, Forward, Diode 1.3 V  MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V   Voltage, Gate to Source ±16 V  International Rectifier Voltage, Gate to Source ±16 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±16 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±16 V   Width 0.094" (2.39mm)  International Rectifier Width 0.094" (2.39mm)  MOSFET Transistors Width 0.094" (2.39mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Width 0.094" (2.39mm)  
電話:400-900-3095
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