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IRLMS2002TRPBF - 

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 20V; RDS(ON) 0.03Ohm; ID 6.5A; Micro6; PD 2W; VGS +/-12V; -55d

International Rectifier IRLMS2002TRPBF
聲明:圖片僅供參考,請(qǐng)以實(shí)物為準(zhǔn)!
制造商產(chǎn)品編號(hào):
IRLMS2002TRPBF
倉(cāng)庫(kù)庫(kù)存編號(hào):
70017108
技術(shù)數(shù)據(jù)表:
View IRLMS2002TRPBF Datasheet Datasheet
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IRLMS2002TRPBF產(chǎn)品概述

HEXFET® N-Channel Power MOSFET up to 50A, Infineon
HEXFET® Power MOSFETs present a variety of rugged single N-channel devices for AC-DC and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics, motor control and lighting and home appliances.

IRLMS2002TRPBF產(chǎn)品信息

  Brand/Series  HEXFET Series  
  Capacitance, Input  1310 pF @ 15 V  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  N  
  Configuration  Single  
  Current, Drain  6.5 A  
  Dimensions  3.00 x 1.75 x 1.15 mm  
  Gate Charge, Total  15 nC  
  Height  0.045" (1.15mm)  
  Length  0.118" (3mm)  
  Mounting Type  Surface Mount  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  3  
  Package Type  SOT-23  
  Polarization  N-Channel  
  Power Dissipation  2 W  
  Resistance, Drain to Source On  0.045 Ω  
  Temperature, Operating, Maximum  +150 °C  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Temperature, Operating, Range  -55 to +150 °C  
  Time, Turn-Off Delay  36 ns  
  Time, Turn-On Delay  8.5 ns  
  Transconductance, Forward  13 S  
  Typical Gate Charge @ Vgs  15 nC @ 5 V  
  Voltage, Breakdown, Drain to Source  20 V  
  Voltage, Drain to Source  20 V  
  Voltage, Forward, Diode  1.2 V  
  Voltage, Gate to Source  ±12 V  
  Width  0.069" (1.75mm)  
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Drain 6.5 A  MOSFET Transistors Current, Drain 6.5 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 6.5 A   Dimensions 3.00 x 1.75 x 1.15 mm  International Rectifier Dimensions 3.00 x 1.75 x 1.15 mm  MOSFET Transistors Dimensions 3.00 x 1.75 x 1.15 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 3.00 x 1.75 x 1.15 mm   Gate Charge, Total 15 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 15 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 15 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 15 nC   Height 0.045" (1.15mm)  International Rectifier Height 0.045" (1.15mm)  MOSFET Transistors Height 0.045" (1.15mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.045" (1.15mm)   Length 0.118" (3mm)  International Rectifier Length 0.118" (3mm)  MOSFET Transistors Length 0.118" (3mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.118" (3mm)   Mounting Type Surface Mount  International Rectifier Mounting Type Surface Mount  MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type SOT-23  International Rectifier Package Type SOT-23  MOSFET Transistors Package Type SOT-23  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type SOT-23   Polarization N-Channel  International Rectifier Polarization N-Channel  MOSFET Transistors Polarization N-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarization N-Channel   Power Dissipation 2 W  International Rectifier Power Dissipation 2 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 2 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 2 W   Resistance, Drain to Source On 0.045 Ω  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 0.045 Ω  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.045 Ω  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.045 Ω   Temperature, Operating, Maximum +150 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +150 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +150 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +150 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, 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Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 20 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 20 V   Voltage, Drain to Source 20 V  International Rectifier Voltage, Drain to Source 20 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 20 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 20 V   Voltage, Forward, Diode 1.2 V  International Rectifier Voltage, Forward, Diode 1.2 V  MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.2 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.2 V   Voltage, Gate to Source ±12 V  International Rectifier Voltage, Gate to Source ±12 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±12 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±12 V   Width 0.069" (1.75mm)  International Rectifier Width 0.069" (1.75mm)  MOSFET Transistors Width 0.069" (1.75mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Width 0.069" (1.75mm)  
電話:400-900-3095
QQ:800152669
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