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IRL2203NSPBF - 

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 30V; RDS(ON) 7 Milliohms; ID 116A; D2Pak; PD 180W; VGS +/-16V

International Rectifier IRL2203NSPBF
聲明：圖片僅供參考，請(qǐng)以實(shí)物為準(zhǔn)！
制造商產(chǎn)品編號(hào)：
IRL2203NSPBF
倉(cāng)庫(kù)庫(kù)存編號(hào)：
70017615
技術(shù)數(shù)據(jù)表：
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IRL2203NSPBF產(chǎn)品概述

N-Channel Power MOSFET over 100A, Infineon
The Infineon range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

IRL2203NSPBF產(chǎn)品信息

  Brand/Series  HEXFET Series  
  Capacitance, Input  3290 pF @ 25 V  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  N  
  Configuration  Single  
  Current, Drain  116 A  
  Dimensions  10.67 x 9.65 x 4.576 mm  
  Gate Charge, Total  60 nC  
  Height  0.18" (4.576mm)  
  Length  0.42" (10.67mm)  
  Mounting Type  Surface Mount  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  3  
  Package Type  D2PAK  
  Polarization  N-Channel  
  Power Dissipation  180 W  
  Resistance, Drain to Source On  7 mΩ  
  Temperature, Operating, Maximum  +175 °C  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Temperature, Operating, Range  -55 to +175 °C  
  Time, Turn-Off Delay  23 ns  
  Time, Turn-On Delay  11 ns  
  Transconductance, Forward  73 S  
  Typical Gate Charge @ Vgs  60 nC @ 4.5 V  
  Voltage, Breakdown, Drain to Source  30 V  
  Voltage, Drain to Source  30 V  
  Voltage, Forward, Diode  1.2 V  
  Voltage, Gate to Source  ±16 V  
  Width  0.38" (9.65mm)  
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Drain 116 A  MOSFET Transistors Current, Drain 116 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 116 A   Dimensions 10.67 x 9.65 x 4.576 mm  International Rectifier Dimensions 10.67 x 9.65 x 4.576 mm  MOSFET Transistors Dimensions 10.67 x 9.65 x 4.576 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 10.67 x 9.65 x 4.576 mm   Gate Charge, Total 60 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 60 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 60 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 60 nC   Height 0.18" (4.576mm)  International Rectifier Height 0.18" (4.576mm)  MOSFET Transistors Height 0.18" (4.576mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.18" (4.576mm)   Length 0.42" (10.67mm)  International Rectifier Length 0.42" (10.67mm)  MOSFET Transistors Length 0.42" (10.67mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.42" (10.67mm)   Mounting Type Surface Mount  International Rectifier Mounting Type Surface Mount  MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type D2PAK  International Rectifier Package Type D2PAK  MOSFET Transistors Package Type D2PAK  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type D2PAK   Polarization N-Channel  International Rectifier Polarization N-Channel  MOSFET Transistors Polarization N-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarization N-Channel   Power Dissipation 180 W  International Rectifier Power Dissipation 180 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 180 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 180 W   Resistance, Drain to Source On 7 mΩ  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 7 mΩ  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 7 mΩ  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 7 mΩ   Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, 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Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 30 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 30 V   Voltage, Drain to Source 30 V  International Rectifier Voltage, Drain to Source 30 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 30 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 30 V   Voltage, Forward, Diode 1.2 V  International Rectifier Voltage, Forward, Diode 1.2 V  MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.2 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.2 V   Voltage, Gate to Source ±16 V  International Rectifier Voltage, Gate to Source ±16 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±16 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±16 V   Width 0.38" (9.65mm)  International Rectifier Width 0.38" (9.65mm)  MOSFET Transistors Width 0.38" (9.65mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Width 0.38" (9.65mm)  
電話:400-900-3095
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