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IRFZ48NPBF - 

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 55V; RDS(ON) 14 Milliohms; ID 64A; TO-220AB; PD 130W; gFS 24S

International Rectifier IRFZ48NPBF
聲明：圖片僅供參考，請以實(shí)物為準(zhǔn)！
制造商產(chǎn)品編號：
IRFZ48NPBF
倉庫庫存編號：
70017058
技術(shù)數(shù)據(jù)表：
View IRFZ48NPBF Datasheet Datasheet
訂購熱線： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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IRFZ48NPBF產(chǎn)品概述

N-Channel Power MOSFET 60A to 79A, Infineon
Infineon's range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

IRFZ48NPBF產(chǎn)品信息

  Brand/Series  HEXFET Series  
  Capacitance, Input  1970 pF @ 25 V  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  N  
  Configuration  Single  
  Current, Drain  64 A  
  Dimensions  10.67 x 4.83 x 16.51 mm  
  Gate Charge, Total  81 nC  
  Height  0.65" (16.51mm)  
  Length  0.42" (10.67mm)  
  Mounting Type  Through Hole  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  3  
  Package Type  TO-220AB  
  Polarization  N-Channel  
  Power Dissipation  130 W  
  Resistance, Drain to Source On  14 mΩ  
  Temperature, Operating, Maximum  +175 °C  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Temperature, Operating, Range  -55 to +175 °C  
  Time, Turn-Off Delay  34 ns  
  Time, Turn-On Delay  12 ns  
  Transconductance, Forward  24 S  
  Typical Gate Charge @ Vgs  Maximum of 81 nC @ 10 V  
  Voltage, Breakdown, Drain to Source  55 V  
  Voltage, Drain to Source  55 V  
  Voltage, Forward, Diode  1.3 V  
  Voltage, Gate to Source  ±20 V  
  Width  0.19" (4.83mm)  
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Drain 64 A  MOSFET Transistors Current, Drain 64 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 64 A   Dimensions 10.67 x 4.83 x 16.51 mm  International Rectifier Dimensions 10.67 x 4.83 x 16.51 mm  MOSFET Transistors Dimensions 10.67 x 4.83 x 16.51 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 10.67 x 4.83 x 16.51 mm   Gate Charge, Total 81 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 81 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 81 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 81 nC   Height 0.65" (16.51mm)  International Rectifier Height 0.65" (16.51mm)  MOSFET Transistors Height 0.65" (16.51mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.65" (16.51mm)   Length 0.42" (10.67mm)  International Rectifier Length 0.42" (10.67mm)  MOSFET Transistors Length 0.42" (10.67mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.42" (10.67mm)   Mounting Type Through Hole  International Rectifier Mounting Type Through Hole  MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type TO-220AB  International Rectifier Package Type TO-220AB  MOSFET Transistors Package Type TO-220AB  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type TO-220AB   Polarization N-Channel  International Rectifier Polarization N-Channel  MOSFET Transistors Polarization N-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarization N-Channel   Power Dissipation 130 W  International Rectifier Power Dissipation 130 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 130 W  International Rectifier MOSFET 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