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IRFZ44ZPBF - 

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 55V; RDS(ON) 11.1 Milliohms; ID 51A; TO-220AB; PD 80W; -55deg

International Rectifier IRFZ44ZPBF
聲明：圖片僅供參考，請(qǐng)以實(shí)物為準(zhǔn)！
制造商產(chǎn)品編號(hào)：
IRFZ44ZPBF
倉(cāng)庫(kù)庫(kù)存編號(hào)：
70017225
技術(shù)數(shù)據(jù)表：
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IRFZ44ZPBF產(chǎn)品概述

Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating . These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in Automotive applications and a wide variety of other applications.

Features:
  • Advanced Process Technology
  • Ultra Low On-Resistance
  • 175°C Operating Temperature
  • Fast Switching
  • Repetitive Avalanche Allowed Up to Tj Max.
  • Lead-Free

    • IRFZ44ZPBF產(chǎn)品信息

      Brand/Series  HEXFET Series  
      Capacitance, Input  1420 pF @ 25 V  
      Channel Mode  Enhancement  
      Channel Type  N  
      Configuration  Dual Drain  
      Current, Drain  51 A  
      Dimensions  10.67 x 4.83 x 9.65 mm  
      Gate Charge, Total  29 nC  
      Height  0.38" (9.65mm)  
      Length  0.42" (10.67mm)  
      Mounting Type  Through Hole  
      Number of Elements per Chip  1  
      Number of Pins  3  
      Package Type  TO-220AB  
      Polarization  N-Channel  
      Power Dissipation  80 W  
      Resistance, Drain to Source On  13.9 mΩ  
      Temperature, Operating, Maximum  +175 °C  
      Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
      Temperature, Operating, Range  -55 to +175 °C  
      Time, Turn-Off Delay  33 ns  
      Time, Turn-On Delay  14 ns  
      Transconductance, Forward  22 sec  
      Typical Gate Charge @ Vgs  29 nC @ 10 V  
      Voltage, Breakdown, Drain to Source  55 V  
      Voltage, Drain to Source  55 V  
      Voltage, Forward, Diode  1.2 V  
      Voltage, Gate to Source  ±20 V  
      Width  0.19" (4.83mm)  
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Rectifier Current, Drain 51 A  MOSFET Transistors Current, Drain 51 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 51 A   Dimensions 10.67 x 4.83 x 9.65 mm  International Rectifier Dimensions 10.67 x 4.83 x 9.65 mm  MOSFET Transistors Dimensions 10.67 x 4.83 x 9.65 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 10.67 x 4.83 x 9.65 mm   Gate Charge, Total 29 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 29 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 29 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 29 nC   Height 0.38" (9.65mm)  International Rectifier Height 0.38" (9.65mm)  MOSFET Transistors Height 0.38" (9.65mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.38" (9.65mm)   Length 0.42" (10.67mm)  International Rectifier Length 0.42" (10.67mm)  MOSFET Transistors Length 0.42" (10.67mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.42" (10.67mm)   Mounting Type Through Hole  International Rectifier Mounting Type Through Hole  MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type TO-220AB  International Rectifier Package Type TO-220AB  MOSFET Transistors Package Type TO-220AB  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type TO-220AB   Polarization N-Channel  International Rectifier Polarization N-Channel  MOSFET Transistors Polarization N-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarization N-Channel   Power Dissipation 80 W  International Rectifier Power Dissipation 80 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 80 W  International 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(4.83mm)  
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