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IRFR120NPBF - 

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDS(ON) 0.21Ohm; ID 9.4A; D-Pak (TO-252AA); PD 48W

International Rectifier IRFR120NPBF
聲明：圖片僅供參考，請(qǐng)以實(shí)物為準(zhǔn)！
制造商產(chǎn)品編號(hào)：
IRFR120NPBF
倉(cāng)庫(kù)庫(kù)存編號(hào)：
70017039
技術(shù)數(shù)據(jù)表：
View IRFR120NPBF Datasheet Datasheet
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IRFR120NPBF產(chǎn)品概述

N-Channel Power MOSFET 8A to 12A, Infineon
The Infineon range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

IRFR120NPBF產(chǎn)品信息

  Brand/Series  HEXFET Series  
  Capacitance, Input  330 pF @ 25V  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  N  
  Configuration  Dual Drain  
  Current, Drain  9.4 A  
  Dimensions  6.73 x 6.22 x 2.39 mm  
  Gate Charge, Total  25 nC  
  Height  0.094" (2.39mm)  
  Length  0.264" (6.73mm)  
  Mounting Type  Surface Mount  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  3  
  Package Type  DPAK  
  Polarization  N-Channel  
  Power Dissipation  48 W  
  Resistance, Drain to Source On  0.21 Ω  
  Temperature, Operating, Maximum  +175 °C  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Temperature, Operating, Range  -55 to +175 °C  
  Time, Turn-Off Delay  32 ns  
  Time, Turn-On Delay  4.5 ns  
  Transconductance, Forward  2.7 S  
  Typical Gate Charge @ Vgs  Maximum of 25 nC @ 10 V  
  Voltage, Breakdown, Drain to Source  100 V  
  Voltage, Drain to Source  100 V  
  Voltage, Forward, Diode  1.3 V  
  Voltage, Gate to Source  ±20 V  
  Width  0.245" (6.22mm)  
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Rectifier Current, Drain 9.4 A  MOSFET Transistors Current, Drain 9.4 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 9.4 A   Dimensions 6.73 x 6.22 x 2.39 mm  International Rectifier Dimensions 6.73 x 6.22 x 2.39 mm  MOSFET Transistors Dimensions 6.73 x 6.22 x 2.39 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 6.73 x 6.22 x 2.39 mm   Gate Charge, Total 25 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 25 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 25 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 25 nC   Height 0.094" (2.39mm)  International Rectifier Height 0.094" (2.39mm)  MOSFET Transistors Height 0.094" (2.39mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.094" (2.39mm)   Length 0.264" (6.73mm)  International Rectifier Length 0.264" (6.73mm)  MOSFET Transistors Length 0.264" (6.73mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.264" (6.73mm)   Mounting Type Surface Mount  International Rectifier Mounting Type Surface Mount  MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type DPAK  International Rectifier Package Type DPAK  MOSFET Transistors Package Type DPAK  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type DPAK   Polarization N-Channel  International Rectifier Polarization N-Channel  MOSFET Transistors Polarization N-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarization N-Channel   Power Dissipation 48 W  International Rectifier Power Dissipation 48 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 48 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 48 W   Resistance, Drain to Source On 0.21 Ω  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 0.21 Ω  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.21 Ω  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.21 Ω   Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C   Time, Turn-Off Delay 32 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 32 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 32 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 32 ns   Time, Turn-On Delay 4.5 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 4.5 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 4.5 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 4.5 ns   Transconductance, Forward 2.7 S  International Rectifier Transconductance, Forward 2.7 S  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 2.7 S  International Rectifier MOSFET Transistors Transconductance, Forward 2.7 S   Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 25 nC @ 10 V  International Rectifier Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 25 nC @ 10 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 25 nC @ 10 V  International Rectifier MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 25 nC @ 10 V   Voltage, Breakdown, Drain to Source 100 V  International Rectifier Voltage, Breakdown, Drain to Source 100 V  MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 100 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 100 V   Voltage, Drain to Source 100 V  International Rectifier Voltage, Drain to Source 100 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 100 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 100 V   Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier Voltage, Forward, Diode 1.3 V  MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V   Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier Voltage, Gate to Source ±20 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V   Width 0.245" (6.22mm)  International Rectifier Width 0.245" (6.22mm)  MOSFET Transistors Width 0.245" (6.22mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Width 0.245" (6.22mm)  
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