IRFP4110PBF - 

Brand/Series HEXFET Series  International Rectifier Brand/Series HEXFET Series  MOSFET Transistors Brand/Series HEXFET Series  International Rectifier MOSFET Transistors Brand/Series HEXFET Series   Capacitance, Input 9620 pF @ 50 V  International Rectifier Capacitance, Input 9620 pF @ 50 V  MOSFET Transistors Capacitance, Input 9620 pF @ 50 V  International Rectifier MOSFET Transistors Capacitance, Input 9620 pF @ 50 V   Channel Mode Enhancement  International Rectifier Channel Mode Enhancement  MOSFET Transistors Channel Mode Enhancement  International Rectifier MOSFET Transistors Channel Mode Enhancement   Channel Type N  International Rectifier Channel Type N  MOSFET Transistors Channel Type N  International Rectifier MOSFET Transistors Channel Type N   Configuration Single  International Rectifier Configuration Single  MOSFET Transistors Configuration Single  International Rectifier MOSFET Transistors Configuration Single   Current, Drain 180 A  International Rectifier Current, 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Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type TO-247AC  International Rectifier Package Type TO-247AC  MOSFET Transistors Package Type TO-247AC  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type TO-247AC   Power Dissipation 370 W  International Rectifier Power Dissipation 370 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 370 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 370 W   Resistance, Drain to Source On 4.5 mΩ  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 4.5 mΩ  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 4.5 mΩ  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 4.5 mΩ   Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C   Time, Turn-Off Delay 78 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 78 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 78 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 78 ns   Time, Turn-On Delay 25 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 25 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 25 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 25 ns   Transconductance, Forward 160 S  International Rectifier Transconductance, Forward 160 S  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 160 S  International Rectifier MOSFET Transistors Transconductance, Forward 160 S   Typical Gate Charge @ Vgs 150 nC @ 10 V  International Rectifier Typical Gate Charge @ Vgs 150 nC @ 10 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 150 nC @ 10 V  International Rectifier MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 150 nC @ 10 V   Voltage, Drain to Source 100 V  International Rectifier Voltage, Drain to Source 100 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 100 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 100 V   Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier Voltage, Forward, Diode 1.3 V  MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V   Voltage, Gate to Source ± 20 V  International Rectifier Voltage, Gate to Source ± 20 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ± 20 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ± 20 V   Width 0.209" (5.31mm)  International Rectifier Width 0.209" (5.31mm)  MOSFET Transistors Width 0.209" (5.31mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Width 0.209" (5.31mm)