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專(zhuān)業(yè)銷(xiāo)售Amphenol（安費(fèi)諾）全系列產(chǎn)品-英國(guó)2號(hào)倉(cāng)庫(kù)
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IRFP2907PBF - 

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 75V; RDS(ON) 4.5Milliohms; ID 209A; TO-247AC; PD 470W; -55de

International Rectifier IRFP2907PBF
聲明：圖片僅供參考，請(qǐng)以實(shí)物為準(zhǔn)！
制造商產(chǎn)品編號(hào)：
IRFP2907PBF
倉(cāng)庫(kù)庫(kù)存編號(hào)：
70017037
技術(shù)數(shù)據(jù)表：
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IRFP2907PBF產(chǎn)品概述

N-Channel Power MOSFET over 100A, Infineon
The Infineon range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

IRFP2907PBF產(chǎn)品信息

  Brand/Series  HEXFET Series  
  Capacitance, Input  13000 pF @ 25 V  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  N  
  Configuration  Single  
  Current, Drain  209 A  
  Dimensions  15.87 x 5.31 x 20.70 mm  
  Gate Charge, Total  410 nC  
  Height  0.815" (20.7mm)  
  Length  0.625" <5/8> (15.875mm)  
  Mounting Type  Through Hole  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  3  
  Package Type  TO-247AC  
  Polarization  N-Channel  
  Power Dissipation  470 W  
  Resistance, Drain to Source On  4.5 mΩ  
  Temperature, Operating, Maximum  +175 °C  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Temperature, Operating, Range  -55 to +175 °C  
  Time, Turn-Off Delay  130 ns  
  Time, Turn-On Delay  23 ns  
  Transconductance, Forward  130 S  
  Typical Gate Charge @ Vgs  410 nC @ 10 V  
  Voltage, Breakdown, Drain to Source  75 V  
  Voltage, Drain to Source  75 V  
  Voltage, Forward, Diode  1.3 V  
  Voltage, Gate to Source  ± 20 V  
  Width  0.209" (5.31mm)  
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Rectifier Current, Drain 209 A  MOSFET Transistors Current, Drain 209 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 209 A   Dimensions 15.87 x 5.31 x 20.70 mm  International Rectifier Dimensions 15.87 x 5.31 x 20.70 mm  MOSFET Transistors Dimensions 15.87 x 5.31 x 20.70 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 15.87 x 5.31 x 20.70 mm   Gate Charge, Total 410 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 410 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 410 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 410 nC   Height 0.815" (20.7mm)  International Rectifier Height 0.815" (20.7mm)  MOSFET Transistors Height 0.815" (20.7mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.815" (20.7mm)   Length 0.625" <5/8> (15.875mm)  International Rectifier Length 0.625" <5/8> (15.875mm)  MOSFET Transistors Length 0.625" <5/8> (15.875mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.625" <5/8> (15.875mm)   Mounting Type Through Hole  International Rectifier Mounting Type Through Hole  MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type TO-247AC  International Rectifier Package Type TO-247AC  MOSFET Transistors Package Type TO-247AC  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type TO-247AC   Polarization N-Channel  International Rectifier Polarization N-Channel  MOSFET Transistors Polarization N-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarization N-Channel   Power Dissipation 470 W  International Rectifier Power Dissipation 470 W  MOSFET 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Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C   Time, Turn-Off Delay 130 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 130 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 130 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 130 ns   Time, Turn-On Delay 23 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 23 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 23 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 23 ns   Transconductance, Forward 130 S  International Rectifier Transconductance, Forward 130 S  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 130 S  International Rectifier MOSFET Transistors Transconductance, Forward 130 S   Typical Gate Charge @ Vgs 410 nC @ 10 V  International Rectifier Typical Gate Charge @ Vgs 410 nC @ 10 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 410 nC @ 10 V  International Rectifier MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 410 nC @ 10 V   Voltage, Breakdown, Drain to Source 75 V  International Rectifier Voltage, Breakdown, Drain to Source 75 V  MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 75 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 75 V   Voltage, Drain to Source 75 V  International Rectifier Voltage, Drain to Source 75 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 75 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 75 V   Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier Voltage, Forward, Diode 1.3 V  MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V   Voltage, Gate to Source ± 20 V  International Rectifier Voltage, Gate to Source ± 20 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ± 20 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ± 20 V   Width 0.209" (5.31mm)  International Rectifier Width 0.209" (5.31mm)  MOSFET Transistors Width 0.209" (5.31mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Width 0.209" (5.31mm)  
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