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IRFL4315PBF - 

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 150V; RDS(ON) 185 Milliohms; ID 2.6A; SOT-223; PD 2.8W; -55de

International Rectifier IRFL4315PBF
聲明:圖片僅供參考,請以實物為準!
制造商產品編號:
IRFL4315PBF
倉庫庫存編號:
70017029
技術數據表:
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IRFL4315PBF產品概述

HEXFET® N-Channel Power MOSFET up to 50A, Infineon
HEXFET® Power MOSFETs present a variety of rugged single N-channel devices for AC-DC and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics, motor control and lighting and home appliances.

IRFL4315PBF產品信息

  Brand/Series  HEXFET Series  
  Capacitance, Input  420 pF @ 25 V  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  N  
  Configuration  Dual Drain  
  Current, Drain  2.6 A  
  Dimensions  6.70 x 3.70 x 1.45 mm  
  Gate Charge, Total  12 nC  
  Height  0.057" (1.45mm)  
  Length  0.263" (6.7mm)  
  Mounting Type  Surface Mount  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  3  
  Package Type  SOT-223  
  Polarization  N-Channel  
  Power Dissipation  2.8 W  
  Resistance, Drain to Source On  185 mΩ  
  Temperature, Operating, Maximum  +150 °C  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Temperature, Operating, Range  -55 to +150 °C  
  Time, Turn-Off Delay  20 ns  
  Time, Turn-On Delay  8.4 ns  
  Transconductance, Forward  3.5 S  
  Typical Gate Charge @ Vgs  12 nC @ 10 V  
  Voltage, Breakdown, Drain to Source  150 V  
  Voltage, Drain to Source  150 V  
  Voltage, Forward, Diode  1.5 V  
  Voltage, Gate to Source  ±30 V  
  Width  0.146" (3.7mm)  
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Rectifier Current, Drain 2.6 A  MOSFET Transistors Current, Drain 2.6 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 2.6 A   Dimensions 6.70 x 3.70 x 1.45 mm  International Rectifier Dimensions 6.70 x 3.70 x 1.45 mm  MOSFET Transistors Dimensions 6.70 x 3.70 x 1.45 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 6.70 x 3.70 x 1.45 mm   Gate Charge, Total 12 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 12 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 12 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 12 nC   Height 0.057" (1.45mm)  International Rectifier Height 0.057" (1.45mm)  MOSFET Transistors Height 0.057" (1.45mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.057" (1.45mm)   Length 0.263" (6.7mm)  International Rectifier Length 0.263" (6.7mm)  MOSFET Transistors Length 0.263" (6.7mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.263" (6.7mm)   Mounting Type Surface Mount  International Rectifier Mounting Type Surface Mount  MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type SOT-223  International Rectifier Package Type SOT-223  MOSFET Transistors Package Type SOT-223  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type SOT-223   Polarization N-Channel  International Rectifier Polarization N-Channel  MOSFET Transistors Polarization N-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarization N-Channel   Power Dissipation 2.8 W  International Rectifier Power Dissipation 2.8 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 2.8 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 2.8 W   Resistance, Drain to Source On 185 mΩ  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 185 mΩ  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 185 mΩ  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 185 mΩ   Temperature, Operating, Maximum +150 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +150 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +150 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +150 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  International 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Rectifier Voltage, Breakdown, Drain to Source 150 V  MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 150 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 150 V   Voltage, Drain to Source 150 V  International Rectifier Voltage, Drain to Source 150 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 150 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 150 V   Voltage, Forward, Diode 1.5 V  International Rectifier Voltage, Forward, Diode 1.5 V  MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.5 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.5 V   Voltage, Gate to Source ±30 V  International Rectifier Voltage, Gate to Source ±30 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±30 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±30 V   Width 0.146" (3.7mm)  International Rectifier Width 0.146" (3.7mm)  MOSFET Transistors Width 0.146" (3.7mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Width 0.146" (3.7mm)  
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