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IRFI4019H-117P - 

MOSFET, Dual N Ch., Digital Audio, 5-PIN TO-220, 150V, 80MOHM, 8.7A, 4.1 NC

International Rectifier IRFI4019H-117P
聲明:圖片僅供參考,請以實物為準!
制造商產品編號:
IRFI4019H-117P
倉庫庫存編號:
70017951
技術數(shù)據(jù)表:
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IRFI4019H-117P產品概述

Digital Audio MOSFET, Infineon
Class D amplifiers are fast becoming the preferred solution for professional and home audio and video systems. Infineon offers a comprehensive range that simplify high-efficiency Class D amplifier design.

IRFI4019H-117P產品信息

  Brand/Series  HEXFET Series  
  Capacitance, Input  1125 pF @ 15 V  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  N  
  Configuration  Dual  
  Current, Drain  8.7 A  
  Dimensions  10.63 x 4.83 x 9.80 mm  
  Gate Charge, Total  13 nC  
  Height  0.386" (9.8mm)  
  Length  0.418" (10.63mm)  
  Mounting Type  Through Hole  
  Number of Elements per Chip  2  
  Number of Pins  5  
  Package Type  TO-220 Full-Pak  
  Polarization  N-Channel  
  Power Dissipation  18 W  
  Resistance, Drain to Source On  95 mΩ  
  Temperature, Operating  -55 to 150 °C  
  Temperature, Operating, Maximum  +150 °C  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Temperature, Operating, Range  -55 to +150 °C  
  Thermal Resistance, Junction to Ambient  65 °C/W  
  Time, Turn-Off Delay  13 ns  
  Time, Turn-On Delay  7 ns  
  Transconductance, Forward  11 S  
  Typical Gate Charge @ Vgs  13 nC @ 10 V  
  Voltage, Breakdown, Drain to Source  150 V  
  Voltage, Drain to Source  150 V  
  Voltage, Forward, Diode  1.3 V  
  Voltage, Gate to Source  ±20 V  
  Width  0.19" (4.83mm)  
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A  MOSFET Transistors Current, Drain 8.7 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 8.7 A   Dimensions 10.63 x 4.83 x 9.80 mm  International Rectifier Dimensions 10.63 x 4.83 x 9.80 mm  MOSFET Transistors Dimensions 10.63 x 4.83 x 9.80 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 10.63 x 4.83 x 9.80 mm   Gate Charge, Total 13 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 13 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 13 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 13 nC   Height 0.386" (9.8mm)  International Rectifier Height 0.386" (9.8mm)  MOSFET Transistors Height 0.386" (9.8mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.386" (9.8mm)   Length 0.418" (10.63mm)  International Rectifier Length 0.418" (10.63mm)  MOSFET Transistors Length 0.418" (10.63mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.418" (10.63mm)   Mounting Type Through Hole  International Rectifier Mounting Type Through Hole  MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole   Number of Elements per Chip 2  International Rectifier Number of Elements per Chip 2  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 2  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 2   Number of Pins 5  International Rectifier Number of Pins 5  MOSFET Transistors Number of Pins 5  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 5   Package Type TO-220 Full-Pak  International Rectifier Package Type TO-220 Full-Pak  MOSFET Transistors Package Type TO-220 Full-Pak  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type TO-220 Full-Pak   Polarization N-Channel  International Rectifier Polarization N-Channel  MOSFET Transistors Polarization N-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarization N-Channel   Power Dissipation 18 W  International Rectifier Power Dissipation 18 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 18 W  International 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Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C   Thermal Resistance, Junction to Ambient 65 °C/W  International Rectifier Thermal Resistance, Junction to Ambient 65 °C/W  MOSFET Transistors Thermal Resistance, Junction to Ambient 65 °C/W  International Rectifier MOSFET Transistors Thermal Resistance, Junction to Ambient 65 °C/W   Time, Turn-Off Delay 13 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 13 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 13 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 13 ns   Time, Turn-On Delay 7 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 7 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 7 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 7 ns   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Forward, Diode 1.3 V  MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V   Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier Voltage, Gate to Source ±20 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V   Width 0.19" (4.83mm)  International Rectifier Width 0.19" (4.83mm)  MOSFET Transistors Width 0.19" (4.83mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Width 0.19" (4.83mm)  
電話:400-900-3095
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