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IRFB4115PBF - 

IRFB4115PBF N-channel MOSFET Transistor, 104 A, 150 V, 3-Pin TO-220AB

International Rectifier IRFB4115PBF
聲明:圖片僅供參考,請(qǐng)以實(shí)物為準(zhǔn)!
制造商產(chǎn)品編號(hào):
IRFB4115PBF
倉(cāng)庫(kù)庫(kù)存編號(hào):
70019187
技術(shù)數(shù)據(jù)表:
View IRFB4115PBF Datasheet Datasheet
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IRFB4115PBF產(chǎn)品信息

  Brand/Series  HEXFET Series  
  Capacitance, Input  5270 pF @ 50 V  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  N  
  Configuration  Single  
  Current, Drain  104 A  
  Dimensions  10.67 x 4.83 x 16.51 mm  
  Height  0.65" (16.51mm)  
  Length  0.42" (10.67mm)  
  Mounting Type  Through Hole  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  3  
  Package Type  TO-220AB  
  Power Dissipation  380 W  
  Resistance, Drain to Source On  11 mΩ  
  Temperature, Operating, Maximum  +175 °C  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Temperature, Operating, Range  -55 to +175 °C  
  Time, Turn-Off Delay  41 ns  
  Time, Turn-On Delay  18 ns  
  Transconductance, Forward  97 S  
  Typical Gate Charge @ Vgs  77 nC @ 10 V  
  Voltage, Drain to Source  150 V  
  Voltage, Forward, Diode  1.3 V  
  Voltage, Gate to Source  ±20 V  
  Width  0.19" (4.83mm)  
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Drain 104 A  MOSFET Transistors Current, Drain 104 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 104 A   Dimensions 10.67 x 4.83 x 16.51 mm  International Rectifier Dimensions 10.67 x 4.83 x 16.51 mm  MOSFET Transistors Dimensions 10.67 x 4.83 x 16.51 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 10.67 x 4.83 x 16.51 mm   Height 0.65" (16.51mm)  International Rectifier Height 0.65" (16.51mm)  MOSFET Transistors Height 0.65" (16.51mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.65" (16.51mm)   Length 0.42" (10.67mm)  International Rectifier Length 0.42" (10.67mm)  MOSFET Transistors Length 0.42" (10.67mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.42" (10.67mm)   Mounting Type Through Hole  International Rectifier Mounting Type Through Hole  MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type TO-220AB  International Rectifier Package Type TO-220AB  MOSFET Transistors Package Type TO-220AB  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type TO-220AB   Power Dissipation 380 W  International Rectifier Power Dissipation 380 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 380 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 380 W   Resistance, Drain to Source On 11 mΩ  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 11 mΩ  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 11 mΩ  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 11 mΩ   Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +175 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V  International Rectifier Voltage, Gate to Source ±20 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V   Width 0.19" (4.83mm)  International Rectifier Width 0.19" (4.83mm)  MOSFET Transistors Width 0.19" (4.83mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Width 0.19" (4.83mm)  
電話:400-900-3095
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