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IRFB23N15DPBF - 

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 150V; RDS(ON) 0.09Ohm; ID 23A; TO-220AB; PD 136W; VGS +/-30V

International Rectifier IRFB23N15DPBF
聲明:圖片僅供參考,請(qǐng)以實(shí)物為準(zhǔn)!
制造商產(chǎn)品編號(hào):
IRFB23N15DPBF
倉(cāng)庫(kù)庫(kù)存編號(hào):
70017261
技術(shù)數(shù)據(jù)表:
View IRFB23N15DPBF Datasheet Datasheet
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IRFB23N15DPBF產(chǎn)品概述

HEXFET® N-Channel Power MOSFET up to 50A, Infineon
HEXFET® Power MOSFETs present a variety of rugged single N-channel devices for AC-DC and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics, motor control and lighting and home appliances.

IRFB23N15DPBF產(chǎn)品信息

  Brand/Series  HEXFET Series  
  Capacitance, Input  1200 pF @ 25 V  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  N  
  Configuration  Single  
  Current, Drain  23 A  
  Dimensions  10.54 x 4.69 x 15.24 mm  
  Gate Charge, Total  37 nC  
  Height  0.6" (15.24mm)  
  Length  0.414" (10.54mm)  
  Mounting Type  Through Hole  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  3  
  Package Type  TO-220AB  
  Polarization  N-Channel  
  Power Dissipation  136 W  
  Resistance, Drain to Source On  0.09 Ω  
  Resistance, Thermal, Junction to Case  1.1 °C/W  
  Temperature, Operating, Maximum  +175 °C  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Temperature, Operating, Range  -55 to +175 °C  
  Time, Turn-Off Delay  18 ns  
  Time, Turn-On Delay  10 ns  
  Transconductance, Forward  11 sec  
  Typical Gate Charge @ Vgs  37 nC @ 10 V  
  Voltage, Breakdown, Drain to Source  150 V  
  Voltage, Drain to Source  150 V  
  Voltage, Forward, Diode  1.3 V  
  Voltage, Gate to Source  ±30 V  
  Width  0.185" (4.69mm)  
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Drain 23 A  MOSFET Transistors Current, Drain 23 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 23 A   Dimensions 10.54 x 4.69 x 15.24 mm  International Rectifier Dimensions 10.54 x 4.69 x 15.24 mm  MOSFET Transistors Dimensions 10.54 x 4.69 x 15.24 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 10.54 x 4.69 x 15.24 mm   Gate Charge, Total 37 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 37 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 37 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 37 nC   Height 0.6" (15.24mm)  International Rectifier Height 0.6" (15.24mm)  MOSFET Transistors Height 0.6" (15.24mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.6" (15.24mm)   Length 0.414" (10.54mm)  International Rectifier Length 0.414" (10.54mm)  MOSFET Transistors Length 0.414" (10.54mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.414" (10.54mm)   Mounting Type Through Hole  International Rectifier Mounting Type Through Hole  MOSFET 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Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C   Time, Turn-Off Delay 18 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 18 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 18 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 18 ns   Time, Turn-On Delay 10 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 10 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 10 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 10 ns   Transconductance, Forward 11 sec  International Rectifier Transconductance, Forward 11 sec  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 11 sec  International Rectifier MOSFET Transistors Transconductance, Forward 11 sec   Typical Gate Charge @ Vgs 37 nC @ 10 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