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IRF7811AVTRPBF - 

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 30V; RDS(ON) 11 Milliohms; ID 10.8A; SO-8; PD 2.5W; VGS +/-20

International Rectifier IRF7811AVTRPBF
聲明:圖片僅供參考,請以實物為準!
制造商產品編號:
IRF7811AVTRPBF
倉庫庫存編號:
70017450
技術數(shù)據表:
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訂購熱線: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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IRF7811AVTRPBF產品信息

  Brand/Series  HEXFET Series  
  Capacitance, Input  1801 pF @ 10 V  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  N  
  Configuration  Quad Drain, Triple Source  
  Current, Drain  11.8 A  
  Dimensions  5.00 x 4.00 x 1.50 mm  
  Gate Charge, Total  17 nC  
  Height  0.059" (1.5mm)  
  Length  0.196" (5mm)  
  Mounting Type  Surface Mount  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  8  
  Package Type  SO-8  
  Polarization  N-Channel  
  Power Dissipation  3 W  
  Resistance, Drain to Source On  14 mΩ  
  Temperature, Operating, Maximum  +150 °C  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Temperature, Operating, Range  -55 to +150 °C  
  Time, Turn-Off Delay  43 ns  
  Time, Turn-On Delay  8.6 ns  
  Typical Gate Charge @ Vgs  17 nC @ 5.0 V  
  Voltage, Breakdown, Drain to Source  30 V  
  Voltage, Drain to Source  30 V  
  Voltage, Forward, Diode  1.3 V  
  Voltage, Gate to Source  ±20 V  
  Width  0.157" (4mm)  
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Mount  International Rectifier Mounting Type Surface Mount  MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 8  International Rectifier Number of Pins 8  MOSFET Transistors Number of Pins 8  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 8   Package Type SO-8  International Rectifier Package Type SO-8  MOSFET Transistors Package Type SO-8  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type SO-8   Polarization N-Channel  International Rectifier Polarization N-Channel  MOSFET Transistors Polarization N-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarization N-Channel   Power Dissipation 3 W  International Rectifier Power Dissipation 3 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 3 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 3 W   Resistance, Drain to Source On 14 mΩ  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 14 mΩ  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 14 mΩ  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 14 mΩ   Temperature, Operating, Maximum +150 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +150 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +150 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +150 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +150 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