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IRF640NPBF - 

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 200V; RDS(ON) 0.15Ohm; ID 18A; TO-220AB; PD 150W; VGS +/-20V

International Rectifier IRF640NPBF
聲明：圖片僅供參考，請(qǐng)以實(shí)物為準(zhǔn)！
制造商產(chǎn)品編號(hào)：
IRF640NPBF
倉(cāng)庫(kù)庫(kù)存編號(hào)：
70016972
技術(shù)數(shù)據(jù)表：
View IRF640NPBF Datasheet Datasheet
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IRF640NPBF產(chǎn)品概述

N-Channel Power MOSFET 13A to 19A, Infineon
Infineon's range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

IRF640NPBF產(chǎn)品信息

  Brand/Series  HEXFET Series  
  Capacitance, Input  1160 pF @ 25 V  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  N  
  Current, Drain  18 A  
  Dimensions  10.67 x 4.83 x 9.02 mm  
  Gate Charge, Total  67 nC  
  Height  0.355" (9.02mm)  
  Length  0.42" (10.67mm)  
  Mounting Type  Through Hole  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  3  
  Package Type  TO-220AB  
  Polarization  N-Channel  
  Power Dissipation  150 W  
  Resistance, Drain to Source On  0.15 Ω  
  Resistance, Thermal, Junction to Case  1 °C/W  
  Temperature, Operating, Maximum  +175 °C  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Temperature, Operating, Range  -55 to +175 °C  
  Time, Turn-Off Delay  23 ns  
  Time, Turn-On Delay  10 ns  
  Transconductance, Forward  6.8 S  
  Typical Gate Charge @ Vgs  Maximum of 67 nC @ 10 V  
  Voltage, Breakdown, Drain to Source  200 V  
  Voltage, Drain to Source  200 V  
  Voltage, Forward, Diode  1.3 V  
  Voltage, Gate to Source  ±20 V  
  Width  0.19" (4.83mm)  
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Rectifier Dimensions 10.67 x 4.83 x 9.02 mm  MOSFET Transistors Dimensions 10.67 x 4.83 x 9.02 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 10.67 x 4.83 x 9.02 mm   Gate Charge, Total 67 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 67 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 67 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 67 nC   Height 0.355" (9.02mm)  International Rectifier Height 0.355" (9.02mm)  MOSFET Transistors Height 0.355" (9.02mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.355" (9.02mm)   Length 0.42" (10.67mm)  International Rectifier Length 0.42" (10.67mm)  MOSFET Transistors Length 0.42" (10.67mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.42" (10.67mm)   Mounting Type Through Hole  International Rectifier Mounting Type Through Hole  MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type TO-220AB  International Rectifier Package Type TO-220AB  MOSFET Transistors Package Type TO-220AB  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type TO-220AB   Polarization N-Channel  International Rectifier Polarization N-Channel  MOSFET Transistors Polarization N-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarization N-Channel   Power Dissipation 150 W  International Rectifier Power Dissipation 150 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 150 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 150 W   Resistance, Drain to Source On 0.15 Ω  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 0.15 Ω  MOSFET Transistors Resistance, Drain to 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Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C   Time, Turn-Off Delay 23 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 23 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 23 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 23 ns   Time, Turn-On Delay 10 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 10 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 10 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 10 ns   Transconductance, Forward 6.8 S  International Rectifier Transconductance, Forward 6.8 S  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 6.8 S  International Rectifier MOSFET Transistors Transconductance, Forward 6.8 S   Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 67 nC @ 10 V  International Rectifier Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 67 nC @ 10 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 67 nC @ 10 V  International Rectifier MOSFET 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Rectifier Width 0.19" (4.83mm)  MOSFET Transistors Width 0.19" (4.83mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Width 0.19" (4.83mm)  
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