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IRF4905SPBF - 

MOSFET, Power; P-Ch; VDSS -55V; RDS(ON) 20Milliohms; ID -70A; D2Pak; PD 170W; VGS +/-2

International Rectifier IRF4905SPBF
聲明：圖片僅供參考，請(qǐng)以實(shí)物為準(zhǔn)！
制造商產(chǎn)品編號(hào)：
IRF4905SPBF
倉(cāng)庫(kù)庫(kù)存編號(hào)：
70017188
技術(shù)數(shù)據(jù)表：
View IRF4905SPBF Datasheet Datasheet
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IRF4905SPBF產(chǎn)品概述

P-Channel Power MOSFET over 8A, Infineon
Infineon's range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

IRF4905SPBF產(chǎn)品信息

  Brand/Series  HEXFET Series  
  Capacitance, Input  3500 pF @ 25 V  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  P  
  Configuration  Dual Drain  
  Current, Drain  -70 A  
  Dimensions  10.67 x 9.65 x 4.83 mm  
  Gate Charge, Total  120 nC  
  Height  0.19" (4.83mm)  
  Length  0.42" (10.67mm)  
  Mounting Type  Surface Mount  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  3  
  Package Type  D2PAK  
  Polarization  P-Channel  
  Power Dissipation  170 W  
  Resistance, Drain to Source On  20 mΩ  
  Temperature, Operating, Maximum  +150 °C  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Temperature, Operating, Range  -55 to +150 °C  
  Time, Turn-Off Delay  51 ns  
  Time, Turn-On Delay  20 ns  
  Transconductance, Forward  19 sec  
  Typical Gate Charge @ Vgs  120 nC @ -10 V  
  Voltage, Breakdown, Drain to Source  -55 V  
  Voltage, Drain to Source  -55 V  
  Voltage, Forward, Diode  -1.3 V  
  Voltage, Gate to Source  ±20 V  
  Width  0.38" (9.65mm)  
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Rectifier Current, Drain -70 A  MOSFET Transistors Current, Drain -70 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain -70 A   Dimensions 10.67 x 9.65 x 4.83 mm  International Rectifier Dimensions 10.67 x 9.65 x 4.83 mm  MOSFET Transistors Dimensions 10.67 x 9.65 x 4.83 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 10.67 x 9.65 x 4.83 mm   Gate Charge, Total 120 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 120 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 120 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 120 nC   Height 0.19" (4.83mm)  International Rectifier Height 0.19" (4.83mm)  MOSFET Transistors Height 0.19" (4.83mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.19" (4.83mm)   Length 0.42" (10.67mm)  International Rectifier Length 0.42" (10.67mm)  MOSFET Transistors Length 0.42" (10.67mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.42" (10.67mm)   Mounting Type Surface Mount  International Rectifier Mounting Type Surface Mount  MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type D2PAK  International Rectifier Package Type D2PAK  MOSFET Transistors Package Type D2PAK  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type D2PAK   Polarization P-Channel  International Rectifier Polarization P-Channel  MOSFET Transistors Polarization P-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarization P-Channel   Power Dissipation 170 W  International Rectifier Power Dissipation 170 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 170 W  International Rectifier MOSFET 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Transistors Width 0.38" (9.65mm)  
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