amphenol代理商
專業(yè)銷售Amphenol（安費諾）全系列產(chǎn)品-英國2號倉庫
美國1號分類選型新加坡2號分類選型英國10號分類選型英國2號分類選型日本5號分類選型

在本站結(jié)果里搜索：    
熱門搜索詞:  Connectors  8910DPA43V02  Amphenol  UVZSeries 160VDC  70084122  IM21-14-CDTRI

IRF3805SPBF - 

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 55V; RDS(ON) 2.6Milliohms; ID 75A; D2Pak; PD 330W; VGS +/-20

International Rectifier IRF3805SPBF
聲明：圖片僅供參考，請以實物為準(zhǔn)！
制造商產(chǎn)品編號：
IRF3805SPBF
倉庫庫存編號：
70017274
技術(shù)數(shù)據(jù)表：
View IRF3805SPBF Datasheet Datasheet
訂購熱線： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于產(chǎn)品數(shù)據(jù)庫龐大，部分產(chǎn)品信息可能未能及時更新，下單前請與銷售人員確認(rèn)好實時在庫數(shù)量，謝謝合作！

IRF3805SPBF產(chǎn)品概述

Specifically designed for Automotive applications, ID = 75 A this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive
avalanche rating . These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in Automotive applications and a wide variety
of other applications.

Features:
  • Advanced Process Technology
  • Ultra Low On-Resistance
  • 175°C Operating Temperature
  • Fast Switching
  • Repetitive Avalanche Allowed Up to Tj Max.
  • Lead-Free

    • IRF3805SPBF產(chǎn)品信息

      Brand/Series  HEXFET Series  
      Capacitance, Input  7960 pF @ 25 V  
      Channel Mode  Enhancement  
      Channel Type  N  
      Configuration  Dual Drain  
      Current, Drain  210 A  
      Dimensions  10.67 x 9.65 x 4.83 mm  
      Gate Charge, Total  190 nC  
      Height  0.19" (4.83mm)  
      Length  0.42" (10.67mm)  
      Mounting Type  Surface Mount  
      Number of Elements per Chip  1  
      Number of Pins  3  
      Package Type  D2PAK  
      Polarization  N-Channel  
      Power Dissipation  300 W  
      Resistance, Drain to Source On  3.3 mΩ  
      Temperature, Operating, Maximum  +175 °C  
      Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
      Temperature, Operating, Range  -55 to +175 °C  
      Time, Turn-Off Delay  93 ns  
      Time, Turn-On Delay  150 ns  
      Transconductance, Forward  75 S  
      Typical Gate Charge @ Vgs  190 nC @ 10 V  
      Voltage, Breakdown, Drain to Source  55 V  
      Voltage, Drain to Source  55 V  
      Voltage, Forward, Diode  1.3 V  
      Voltage, Gate to Source  ±20 V  
      Width  0.38" (9.65mm)  
    關(guān)鍵詞         

    IRF3805SPBF相關(guān)搜索

    Brand/Series HEXFET Series  International Rectifier Brand/Series HEXFET Series  MOSFET Transistors Brand/Series HEXFET Series  International Rectifier MOSFET Transistors Brand/Series HEXFET Series   Capacitance, Input 7960 pF @ 25 V  International Rectifier Capacitance, Input 7960 pF @ 25 V  MOSFET Transistors Capacitance, Input 7960 pF @ 25 V  International Rectifier MOSFET Transistors Capacitance, Input 7960 pF @ 25 V   Channel Mode Enhancement  International Rectifier Channel Mode Enhancement  MOSFET Transistors Channel Mode Enhancement  International Rectifier MOSFET Transistors Channel Mode Enhancement   Channel Type N  International Rectifier Channel Type N  MOSFET Transistors Channel Type N  International Rectifier MOSFET Transistors Channel Type N   Configuration Dual Drain  International Rectifier Configuration Dual Drain  MOSFET Transistors Configuration Dual Drain  International Rectifier MOSFET Transistors Configuration Dual Drain   Current, Drain 210 A  International Rectifier Current, Drain 210 A  MOSFET Transistors Current, Drain 210 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 210 A   Dimensions 10.67 x 9.65 x 4.83 mm  International Rectifier Dimensions 10.67 x 9.65 x 4.83 mm  MOSFET Transistors Dimensions 10.67 x 9.65 x 4.83 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 10.67 x 9.65 x 4.83 mm   Gate Charge, Total 190 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 190 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 190 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 190 nC   Height 0.19" (4.83mm)  International Rectifier Height 0.19" (4.83mm)  MOSFET Transistors Height 0.19" (4.83mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.19" (4.83mm)   Length 0.42" (10.67mm)  International Rectifier Length 0.42" (10.67mm)  MOSFET Transistors Length 0.42" (10.67mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.42" (10.67mm)   Mounting Type Surface Mount  International Rectifier Mounting Type Surface Mount  MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type D2PAK  International Rectifier Package Type D2PAK  MOSFET Transistors Package Type D2PAK  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type D2PAK   Polarization N-Channel  International Rectifier Polarization N-Channel  MOSFET Transistors Polarization N-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarization N-Channel   Power Dissipation 300 W  International Rectifier Power Dissipation 300 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 300 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 300 W   Resistance, Drain to Source On 3.3 mΩ  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 3.3 mΩ  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 3.3 mΩ  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 3.3 mΩ   Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C   Time, Turn-Off Delay 93 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 93 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 93 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 93 ns   Time, Turn-On Delay 150 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 150 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 150 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 150 ns   Transconductance, Forward 75 S  International Rectifier Transconductance, Forward 75 S  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 75 S  International Rectifier MOSFET Transistors Transconductance, Forward 75 S   Typical Gate Charge @ Vgs 190 nC @ 10 V  International Rectifier Typical Gate Charge @ Vgs 190 nC @ 10 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 190 nC @ 10 V  International Rectifier MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 190 nC @ 10 V   Voltage, Breakdown, Drain to Source 55 V  International Rectifier Voltage, Breakdown, Drain to Source 55 V  MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 55 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 55 V   Voltage, Drain to Source 55 V  International Rectifier Voltage, Drain to Source 55 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 55 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 55 V   Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier Voltage, Forward, Diode 1.3 V  MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V   Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier Voltage, Gate to Source ±20 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V   Width 0.38" (9.65mm)  International Rectifier Width 0.38" (9.65mm)  MOSFET Transistors Width 0.38" (9.65mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Width 0.38" (9.65mm)  
    電話:400-900-3095
    QQ:800152669
    關(guān)于我們 | Amphenol簡介 | Amphenol產(chǎn)品 | Amphenol產(chǎn)品應(yīng)用 | Amphenol動態(tài) | 按系列選型 | 按產(chǎn)品規(guī)格選型 | Amphenol選型手冊 | 付款方式 | 聯(lián)系我們
    Copyright © 2017 habitrun.com All Rights Reserved. 技術(shù)支持：電子元器件 ICP備案證書號:粵ICP備11103613號