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IRF2807SPBF - 

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 75V; RDS(ON) 13 Milliohms; ID 82A; D2Pak; PD 230W; VGS +/-20V

International Rectifier IRF2807SPBF
聲明：圖片僅供參考，請(qǐng)以實(shí)物為準(zhǔn)！
制造商產(chǎn)品編號(hào)：
IRF2807SPBF
倉(cāng)庫(kù)庫(kù)存編號(hào)：
70016949
技術(shù)數(shù)據(jù)表：
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IRF2807SPBF產(chǎn)品概述

N-Channel Power MOSFET 80A to 99A, Infineon
Infineon's range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

IRF2807SPBF產(chǎn)品信息

  Brand/Series  HEXFET Series  
  Capacitance, Input  3820 pF @ 25 V  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  N  
  Configuration  Dual Drain  
  Current, Drain  82 A  
  Dimensions  10.67 x 9.65 x 4.83 mm  
  Gate Charge, Total  160 nC  
  Height  0.19" (4.83mm)  
  Length  0.42" (10.67mm)  
  Mounting Type  Surface Mount  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  3  
  Package Type  D2PAK  
  Polarization  N-Channel  
  Power Dissipation  230 W  
  Resistance, Drain to Source On  13 mΩ  
  Temperature, Operating, Maximum  +175 °C  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Temperature, Operating, Range  -55 to +175 °C  
  Time, Turn-Off Delay  49 ns  
  Time, Turn-On Delay  13 ns  
  Transconductance, Forward  38 S  
  Typical Gate Charge @ Vgs  Maximum of 160 nC @ 10 V  
  Voltage, Breakdown, Drain to Source  75 V  
  Voltage, Drain to Source  75 V  
  Voltage, Forward, Diode  1.2 V  
  Voltage, Gate to Source  ±20 V  
  Width  0.38" (9.65mm)  
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Rectifier Current, Drain 82 A  MOSFET Transistors Current, Drain 82 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 82 A   Dimensions 10.67 x 9.65 x 4.83 mm  International Rectifier Dimensions 10.67 x 9.65 x 4.83 mm  MOSFET Transistors Dimensions 10.67 x 9.65 x 4.83 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 10.67 x 9.65 x 4.83 mm   Gate Charge, Total 160 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 160 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 160 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 160 nC   Height 0.19" (4.83mm)  International Rectifier Height 0.19" (4.83mm)  MOSFET Transistors Height 0.19" (4.83mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.19" (4.83mm)   Length 0.42" (10.67mm)  International Rectifier Length 0.42" (10.67mm)  MOSFET Transistors Length 0.42" (10.67mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.42" (10.67mm)   Mounting Type Surface Mount  International Rectifier Mounting Type Surface 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