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專(zhuān)業(yè)銷(xiāo)售Amphenol（安費(fèi)諾）全系列產(chǎn)品-英國(guó)2號(hào)倉(cāng)庫(kù)
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IRF2807PBF - 

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 75V; RDS(ON) 13 Milliohms; ID 82A; TO-220AB; PD 230W; gFS 38S

International Rectifier IRF2807PBF
聲明：圖片僅供參考，請(qǐng)以實(shí)物為準(zhǔn)！
制造商產(chǎn)品編號(hào)：
IRF2807PBF
倉(cāng)庫(kù)庫(kù)存編號(hào)：
70016948
技術(shù)數(shù)據(jù)表：
View IRF2807PBF Datasheet Datasheet
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IRF2807PBF產(chǎn)品概述

N-Channel Power MOSFET 80A to 99A, Infineon
Infineon's range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

IRF2807PBF產(chǎn)品信息

  Brand/Series  HEXFET Series  
  Capacitance, Input  3820 pF @ 25 V  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  N  
  Configuration  Single  
  Current, Drain  82 A  
  Dimensions  10.67 x 4.83 x 16.51 mm  
  Gate Charge, Total  160 nC  
  Height  0.65" (16.51mm)  
  Length  0.42" (10.67mm)  
  Mounting Type  Surface Mount  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  3  
  Package Type  TO-220AB  
  Polarization  N-Channel  
  Power Dissipation  230 W  
  Resistance, Drain to Source On  13 mΩ  
  Temperature, Operating, Maximum  +175 °C  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Temperature, Operating, Range  -55 to +175 °C  
  Time, Turn-Off Delay  49 ns  
  Time, Turn-On Delay  13 ns  
  Transconductance, Forward  38 S  
  Typical Gate Charge @ Vgs  160 nC @ 10 V  
  Voltage, Breakdown, Drain to Source  75 V  
  Voltage, Drain to Source  75 V  
  Voltage, Forward, Diode  1.2 V  
  Voltage, Gate to Source  ± 20 V  
  Width  0.19" (4.83mm)  
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Drain 82 A  MOSFET Transistors Current, Drain 82 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 82 A   Dimensions 10.67 x 4.83 x 16.51 mm  International Rectifier Dimensions 10.67 x 4.83 x 16.51 mm  MOSFET Transistors Dimensions 10.67 x 4.83 x 16.51 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 10.67 x 4.83 x 16.51 mm   Gate Charge, Total 160 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 160 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 160 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 160 nC   Height 0.65" (16.51mm)  International Rectifier Height 0.65" (16.51mm)  MOSFET Transistors Height 0.65" (16.51mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.65" (16.51mm)   Length 0.42" (10.67mm)  International Rectifier Length 0.42" (10.67mm)  MOSFET Transistors Length 0.42" (10.67mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.42" (10.67mm)   Mounting Type Surface Mount  International Rectifier Mounting Type Surface Mount  MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type TO-220AB  International Rectifier Package Type TO-220AB  MOSFET Transistors Package Type TO-220AB  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type TO-220AB   Polarization N-Channel  International Rectifier Polarization N-Channel  MOSFET Transistors Polarization N-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarization N-Channel   Power Dissipation 230 W  International Rectifier Power Dissipation 230 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 230 W  International Rectifier MOSFET 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Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C   Time, Turn-Off Delay 49 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 49 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 49 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 49 ns   Time, Turn-On Delay 13 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 13 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 13 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 13 ns   Transconductance, Forward 38 S  International Rectifier Transconductance, Forward 38 S  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 38 S  International Rectifier MOSFET Transistors Transconductance, Forward 38 S   Typical Gate Charge @ Vgs 160 nC @ 10 V  International Rectifier Typical Gate Charge @ Vgs 160 nC @ 10 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 160 nC @ 10 V  International Rectifier MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 160 nC @ 10 V   Voltage, Breakdown, Drain to Source 75 V  International Rectifier Voltage, Breakdown, Drain to Source 75 V  MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 75 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 75 V   Voltage, Drain to Source 75 V  International Rectifier Voltage, Drain to Source 75 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 75 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 75 V   Voltage, Forward, Diode 1.2 V  International Rectifier Voltage, Forward, Diode 1.2 V  MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.2 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.2 V   Voltage, Gate to Source ± 20 V  International Rectifier Voltage, Gate to Source ± 20 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ± 20 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ± 20 V   Width 0.19" (4.83mm)  International Rectifier Width 0.19" (4.83mm)  MOSFET Transistors Width 0.19" (4.83mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Width 0.19" (4.83mm)  
電話(huà):400-900-3095
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