amphenol代理商
專業(yè)銷售Amphenol(安費(fèi)諾)全系列產(chǎn)品-英國2號倉庫
美國1號分類選型新加坡2號分類選型英國10號分類選型英國2號分類選型日本5號分類選型

在本站結(jié)果里搜索:    
熱門搜索詞:  Connectors  8910DPA43V02  Amphenol  UVZSeries 160VDC  70084122  IM21-14-CDTRI

IRF2804S-7PPBF - 

MOSFET, N Ch., 40V, 320A, 1.6 MOHM, 170NC QG, D2-PAK 7-PIN, Pb-Free

International Rectifier IRF2804S-7PPBF
聲明:圖片僅供參考,請以實(shí)物為準(zhǔn)!
制造商產(chǎn)品編號:
IRF2804S-7PPBF
倉庫庫存編號:
70017933
技術(shù)數(shù)據(jù)表:
View IRF2804S-7PPBF Datasheet Datasheet
訂購熱線: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于產(chǎn)品數(shù)據(jù)庫龐大,部分產(chǎn)品信息可能未能及時(shí)更新,下單前請與銷售人員確認(rèn)好實(shí)時(shí)在庫數(shù)量,謝謝合作!

IRF2804S-7PPBF產(chǎn)品概述

N-Channel Power MOSFET over 100A, Infineon
The Infineon range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

IRF2804S-7PPBF產(chǎn)品信息

  Brand/Series  HEXFET Series  
  Capacitance, Input  6930 pF @ 25 V  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  N  
  Configuration  Single  
  Current, Drain  320 A  
  Dimensions  10.8 x 8.15 x 4.55 mm  
  Height  0.179" (4.55mm)  
  Mounting Type  Surface Mount  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  7  
  Package Type  D2PAK  
  Power Dissipation  330 W  
  Temperature, Operating, Range  -55 to +175 °C  
  Time, Turn-On Delay  17 ns  
  Transconductance, Forward  220 S  
  Typical Gate Charge @ Vgs  170 nC @ 10 V  
  Voltage, Drain to Source  40 V  
  Voltage, Gate to Source  ± 20 V  
  Width  0.321" (8.15mm)  
關(guān)鍵詞         

IRF2804S-7PPBF相關(guān)搜索

Brand/Series HEXFET Series  International Rectifier Brand/Series HEXFET Series  MOSFET Transistors Brand/Series HEXFET Series  International Rectifier MOSFET Transistors Brand/Series HEXFET Series   Capacitance, Input 6930 pF @ 25 V  International Rectifier Capacitance, Input 6930 pF @ 25 V  MOSFET Transistors Capacitance, Input 6930 pF @ 25 V  International Rectifier MOSFET Transistors Capacitance, Input 6930 pF @ 25 V   Channel Mode Enhancement  International Rectifier Channel Mode Enhancement  MOSFET Transistors Channel Mode Enhancement  International Rectifier MOSFET Transistors Channel Mode Enhancement   Channel Type N  International Rectifier Channel Type N  MOSFET Transistors Channel Type N  International Rectifier MOSFET Transistors Channel Type N   Configuration Single  International Rectifier Configuration Single  MOSFET Transistors Configuration Single  International Rectifier MOSFET Transistors Configuration Single   Current, Drain 320 A  International Rectifier Current, Drain 320 A  MOSFET Transistors Current, Drain 320 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 320 A   Dimensions 10.8 x 8.15 x 4.55 mm  International Rectifier Dimensions 10.8 x 8.15 x 4.55 mm  MOSFET Transistors Dimensions 10.8 x 8.15 x 4.55 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 10.8 x 8.15 x 4.55 mm   Height 0.179" (4.55mm)  International Rectifier Height 0.179" (4.55mm)  MOSFET Transistors Height 0.179" (4.55mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.179" (4.55mm)   Mounting Type Surface Mount  International Rectifier Mounting Type Surface Mount  MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 7  International Rectifier Number of Pins 7  MOSFET Transistors Number of Pins 7  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 7   Package Type D2PAK  International Rectifier Package Type D2PAK  MOSFET Transistors Package Type D2PAK  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type D2PAK   Power Dissipation 330 W  International Rectifier Power Dissipation 330 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 330 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 330 W   Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C   Time, Turn-On Delay 17 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 17 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 17 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 17 ns   Transconductance, Forward 220 S  International Rectifier Transconductance, Forward 220 S  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 220 S  International Rectifier MOSFET Transistors Transconductance, Forward 220 S   Typical Gate Charge @ Vgs 170 nC @ 10 V  International Rectifier Typical Gate Charge @ Vgs 170 nC @ 10 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 170 nC @ 10 V  International Rectifier MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 170 nC @ 10 V   Voltage, Drain to Source 40 V  International Rectifier Voltage, Drain to Source 40 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 40 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 40 V   Voltage, Gate to Source ± 20 V  International Rectifier Voltage, Gate to Source ± 20 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ± 20 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ± 20 V   Width 0.321" (8.15mm)  International Rectifier Width 0.321" (8.15mm)  MOSFET Transistors Width 0.321" (8.15mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Width 0.321" (8.15mm)  
電話:400-900-3095
QQ:800152669
關(guān)于我們 | Amphenol簡介 | Amphenol產(chǎn)品 | Amphenol產(chǎn)品應(yīng)用 | Amphenol動(dòng)態(tài) | 按系列選型 | 按產(chǎn)品規(guī)格選型 | Amphenol選型手冊 | 付款方式 | 聯(lián)系我們
Copyright © 2017 habitrun.com All Rights Reserved. 技術(shù)支持:電子元器件 ICP備案證書號:粵ICP備11103613號